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Electrical Specifications
Table 4. Electrical Characteristics Measured in Frequency Specific Tuned Circuits (continued)
(Vcc = 2.7V, TA = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Gain
S21
Low IP3
20.5
21.5
—
dB
High IP3
Bypass
23.1
-7.7
24.1
-6.7
—
—
860 MHz (refer to Figure 14 )
RF Gain
G
Low IP3
16.4
17.4
—
dB
High IP3
Bypass
Noise Figure
Low IP3
NF
18
-6.7
—
19
-6.2
1.22
—
—
1.5
dB
High IP3
Bypass
Input IP3
Low IP3
IIP3
—
—
-5.3
1.32
5.2
-4
1.6
5.7
—
dBm
High IP3
Bypass
Power Output at 1.0 dB Gain Compression
P1dBoutput
-2.3
23.7
-1.1
24.7
—
—
Low IP3
High IP3
7.4
8.1
8.4
9.2
—
—
dBm
Gain
S21
Low IP3
17
18
—
dB
High IP3
Bypass
18.4
-6.8
19.4
-5.8
—
—
900 MHz (refer to Figure 15 )
RF Gain
G
Low IP3
20
21
—
dB
High IP3
Bypass
20.8
-4.5
21.8
-3.7
—
—
MC13850 Advance Information, Rev. 1
Freescale Semiconductor
5
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